碳化硅的正确烧结方法（碳化硅烧结炉）

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烧制过程不同。反应烧结是在较低的温度下，使游离硅渗透到碳化硅中。而无压烧结是在2100度下，自然收缩而成的碳化硅制品。烧结的产品技术参数不同。反应的体积密度、硬度、抗压强度等与无压的碳化硅产品技术参数不同。产品性能不同。

这些烧结技术各有特点，可以满足不同应用场景下碳化硅陶瓷的性能需求。例如，反应烧结主要用于制备碳化硅陶瓷的复合材料；常压烧结适用于生产高密度、高强度的碳化硅陶瓷；热压烧结则可以制备出高硬度、高耐磨性的碳化硅陶瓷；而热等静压烧结技术则可以用于制备具有良好高温性能和耐腐蚀性的碳化硅陶瓷。

重结晶烧结碳化硅（RSiC）则采用无烧结助剂，保留了SiC原有的特性，特别适合高温应用，且无收缩，孔隙率可以精细调控。热压烧结（HPSiC）虽然能制备出性能卓越的产品，但其工艺复杂且成本高昂，对于大尺寸和复杂部件的制备则显得力不从心。

表面更光滑、密度更高、强度也要比反应烧结的高，根据无压的特性，像密封件类，对表面要求严格的，无压烧结的产品已经取代了反应烧结产品。化学成分一样，都是碳元素与硅元素一比一的物质的量组成，化学式都是SiC，无压烧结碳化硅是碳化硅的一种类型。之所以物理性质不同是因为晶体结构不同。

其实常压烧结碳化硅在各项性能上都要比反应烧结碳化硅要强：硬度、强度、模量、热导率、抗腐蚀、耐磨性、热导率等。但是常压烧结碳化硅制备难度较反应烧结碳化硅为高，所以成本也高。

1、烧结温度高时，晶界移动速度过快，一些气体来不及排斥，被封闭在里边，所以陶瓷密度下降。烧结机理：固态烧结（蒸发凝聚传质和扩散传质）、液相烧结（流动传质和溶解沉淀传质），一般出现液相会有助烧结，这就是加入矿化剂的原因。

2、成本决定了，无压烧结很难取代反应烧结，不过无压烧结出的产品，表面更光滑、密度更高、强度也要比反应烧结的高，根据无压的特性，像密封件类，对表面要求严格的，无压烧结的产品已经取代了反应烧结产品。

3、反应烧结：主要是利用碳与硅在高温反应生成碳化硅来结合原料中的碳化硅颗粒，成品中会有较多游离硅的存在，具体的讲应该叫硅和贝塔碳化硅结合碳化硅。重结晶：是通过高温约2400度左右烧成使坯体中的碳化硅气化后重新结晶生成碳化硅结合坯体中的碳化硅颗粒。

1、冷却定型：等碳化硅陶瓷的烧结工作完成之后，就是冷却的工作了，在进行冷却的同时可以对碳化硅陶瓷进行一定的定型工作，当然前提是生产的碳化硅陶瓷是要定型的，如果仅仅是要生产它的原型则不需要这一步工作。

2、这些烧结技术各有特点，可以满足不同应用场景下碳化硅陶瓷的性能需求。例如，反应烧结主要用于制备碳化硅陶瓷的复合材料；常压烧结适用于生产高密度、高强度的碳化硅陶瓷；热压烧结则可以制备出高硬度、高耐磨性的碳化硅陶瓷；而热等静压烧结技术则可以用于制备具有良好高温性能和耐腐蚀性的碳化硅陶瓷。

3、高温冶炼：将石英砂、石油焦、硅石等原材料按照比例进行混合后，加入电阻炉进行高温冶炼。冶炼后的成品是碳化硅块。破碎：碳化硅硬度较高，介于白刚玉和金刚石之间，而且块比较大，普通的粉碎机很难将其粉碎，我们需要先使用鄂式破碎机进行粗碎。

4、怎么制作碳化硅陶瓷在制作的时候的有高端的工艺。陶瓷产品比较的易碎，所以我们选择更精进的工艺来改善这个缺点。让大家很喜欢。研究表明：单独使用B和C作添加剂，无助于SiC陶瓷充分致密。只有同时添加B和C时，才能实现SiC陶瓷的高密度化。

碳化硅的正确烧结方法（碳化硅烧结炉）

1、反应烧结的工艺过程为：先将α－SiC粉和石墨粉按比例混匀，经干压、挤压或注浆等方法制成多孔坯体。在高温下与液态Si接触，坯体中的C与渗入的Si反应，生成β－SiC，并与α－SiC相结合，过量的Si填充于气孔，从而得到无孔致密的反应烧结体。反应烧结SiC通常含有8%的游离Si。

2、具体工艺流程.见附图烧结生产工艺的过程就是将准备好的矿粉、燃料和溶剂，按一定的比例配料，然后再配入一部分烧结机尾筛分的返矿，送到混合机混匀和造球。

3、带式烧结机抽风烧结过程是自上而下进行的，沿其料层高度温度变化的情况一般可分为5层，各层中的反应变化情况如图2—5所示。点火开始以后，依次出现烧结矿层，燃烧层，预热层，干燥层和过湿层。然后后四层又相继消失，最终只剩烧结矿层。

4、烧结机系统：包括原燃料的输入，配料，混合，烧结，破碎，筛分，铺底料。烧结工艺流程图见附图烧结工艺简述：1）原料准备与配料烧结原料包括含铁原料（原矿及精矿粉）、熔剂（生石灰、石灰石）、燃料（焦炭或无烟煤）、附加物（轧钢皮、钢铁厂回收粉尘）及返矿。

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