碳化硅注浆料的大致配方(生产碳化硅原料配方)

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碳化硅国家标准

法律分析:国家标准为:GB/T 2480—1996 法律依据:中国机械工业联合会《普通磨料 碳化硅》GB/T 2480—1996 本标准由全国磨料磨具标准化技术 会(SAC/TC 139)归口。

中国标准:W6W50、W40、W2WW1WWWWWW5 欧洲标准:F280、F3F400、F500、F600、F800、F1000、F1200、F1500、F1800 同时,我公司还可以生产日本标准及按客户需要的非标产品、特殊需要的产品、分布范围大的产品、含量不同的产品。

碳五硅国家标准为:GB/T2480—1996。中国机械工业联合会《普通磨料碳化硅》GB/T2480—1996,本标准由全国磨料磨具标准化技术 会(SAC/TC139)归口。本标准所替代标准的历史版次发布情况为—GB2480—198GB2480—198GB/T2480—1996。

碳化硅一级品二级品 品的区别是在于SIC含量的高低而已,一级SIC95以上,是按国家标准生产的,达到国标就是一级的,二级碳化硅SIC90, 的就是磨具厂回收的旧砂轮再加工做成的旧碳化硅,SIC含量在60-70左右。含量低,研磨抛光效果很差。

碳化硅微粉w14的粒度是7~14μm,大约1500目。其实w14指的是一个粒径范围,在0~40μm之间,其中10~14μm称为基本粒,在磨料微粉中起主要作用,占比也最大,在50%以上;7~14μm称为混合粒,占比在90%以上。粒度是磨料微粉最重要的技术指标之一。“粒度”是指一个粉体样品颗粒大小的总体描述。

第三代半导体材料碳化硅发展历程及制备技术

1、碳化硅的制备技术包括:- 气相沉积(CVD)法:通过高温使气相中的材料在衬底上沉积成薄膜。- 物理气相沉积(PVD)法:通过物理方法将物质从固态源转化为气态,然后在衬底上沉积生成薄膜或多层膜。

2、半导体材料按发展顺序可分为第一代硅与锗,第二代的砷化镓和磷化铟,以及第三代的宽禁带材料如碳化硅、氮化镓等。禁带宽度决定材料的耐压和工作温度,碳化硅凭借三倍于硅的宽度,成为高压、高温环境的理想选择。

3、碳化硅,自1891年艾奇逊的发现以来,便以其卓越的性能开启了新一代半导体材料的新篇章。CREE的商业化推动了这一革命,将其引入工业生产。

碳化硅耐火浇注料的配比是什么?

碳化硅(SiC)是用石英砂、石油焦(或煤焦)、木屑(生产绿 碳化硅时需要加食盐)等原料通过电阻炉高温冶炼而成。碳化硅在大自然也存在罕见的矿物,莫桑石。碳化硅又称碳硅石。

耐火粉料用量为18%~25%。其中如掺加高档材料,用量为5%~10%。耐火浇注料的配制 耐火超微粉品种较多,国内外普遍采用活性SiO2粉(即硅灰),还有阿尔法氧化铝粉、铬精粉和碳化硅粉等。其用量为2%~12%。耐火粉料和超微粉的合剂用量为28%~32%。

耐火骨料用量为68%~72%。耐火浇注料的配制耐火粉料一般用二级、一级或特级高铝矾土熟料作原料,粉料后应进行除铁处理,其细度耐火浇注料的配制耐火超微粉品种较多,国内外普遍采用活性SiO2粉(即硅灰),还有阿尔法氧化铝粉、铬精粉和碳化硅粉等。其用量为2%~12%。

碳化硅耐火浇注料的主要成分就是碳化硅,以高铝骨料、碳化硅颗粒以及超微粉、采用纯氯酸钙结合而成。

耐火浇注料的配制原则是合理选择颗粒级配、超微粉和外加剂品种及其用量。耐火骨料的量大粒径根据工程衬体的厚度而定,一般为10mm或5mm,其颗粒级配为:10~5为40%~50%,5~3mm为 20%~30%,3~0.1mm为 20%~30%;或者 5~3mm 为40%~60%,3~1mm为 20%~30%,1~0.15mm为 15%~ 25%。

碳化硅生产工艺及材料

碳化硅是由美国人艾奇逊在1891年电熔金刚石实验时,在实验室偶然发现的一种碳化物,当时误认为是金刚石的混合体,故取名金刚砂。1893年艾奇逊研究出来了工业冶炼碳化硅的方法,也就是大家常说的艾奇逊炉,一直沿用至今,以碳质材料为炉芯体的电阻炉,通电加热石英SIO2和碳的混合物生成碳化硅。

物质特性碳化硅由于化学性能稳定、导热系数高、热膨胀系数小、耐磨性能好,除作磨料用外,还有很多其他用途,例如:以特殊工艺把碳化硅粉末涂布于水轮机叶轮或汽缸体的内壁,可提高其耐磨性而延长使用寿命1~2倍;用以制成的高级耐火材料,耐热震、体积小、重量轻而强度高,节能效果好。

碳化硅,是一种无机物,化学式为SiC,是用石英砂、石油焦(或煤焦)、木屑(生产绿 碳化硅时需要加食盐)等原料通过电阻炉高温冶炼而成。碳化硅在大自然也存在罕见的矿物,莫桑石。在C、N、B等非氧化物高技术耐火原料中,碳化硅为应用最广泛、最经济的一种,可以称为金钢砂或耐火砂。

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