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碳化硅衬底怎么抛光?
碳化硅晶圆（SiC）抛光工艺通常涉及以下步骤： 表面清洁：首先，对碳化硅晶圆进行表面清洁，以去除表面的污染物和杂质。这可以使用溶剂清洗、超声波清洗或其他适当的方法完成。
在碳化硅衬底的精抛光工艺流程中，通常使用的是聚氨酯抛光垫或氧化铈抛光垫。这两种抛光垫都具有良好的弹性和抛光性能，能够有效去除衬底表面的微小缺陷和杂质，使衬底表面达到高度平滑和清洁的状态。
碳化硅衬底在精研磨过程中，常使用氮化硅或氧化铝作为抛光液。这些抛光液可以提供较高的抛光效果，同时对碳化硅材料具有较好的兼容性。选择合适的抛光液取决于具体的应用需求和目标，以及所要达到的表面精度和光洁度等要求。
超声波抛光：将工件放入绿碳化硅悬浮液中并一起置于超声波场中，依靠超声波的振荡作用，使绿碳化硅在工件表面磨削抛光。超声波加工宏观力小，不会引起工件变形，但工装制作和安装较困难。
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