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南大光电︱第三代半导体龙头,竟买了一个大包袱?
中国拥有世界上已探明镓储量的绝大部分，公司未来很可能成为全球 三甲 基镓 龙头。三甲基镓是制备氮化镓的必需原料，所以三代半导体这个风口，南大光电算是踩中了。
但是一次任性的收购无异于给自己买了一个大包袱，何时卸下这副重担，年报或许有答案。 注：本文不构成投资建议，股市有风险，投资需谨慎，没有买卖就没有伤害。
半导体龙头股票晓程科技、台基股份、扬杰科技、南大光电、派瑞股份、明阳电路、赛微电子、斯达半导等。晓程科技：主营业务：以集成电路设计及应用领域为主。
宁波南大光电于2020年12月独立开发ArF光刻胶产品最近成功通过了客户认证，成为中国第一个通过产品验证的产品ArF光刻胶。振华永光主要从事半导体分离装置的生产。
第三代半导体材料碳化硅发展历程及制备技术
半导体材料按发展顺序可分为第一代硅与锗，第二代的砷化镓和磷化铟，以及第三代的宽禁带材料如碳化硅、氮化镓等。禁带宽度决定材料的耐压和工作温度，碳化硅凭借三倍于硅的宽度，成为高压、高温环境的理想选择。
半导体世界的进化历程中，碳化硅与硅一起，引领了三代技术革新：硅的初代、光电子领域的二代，以及高电压、高频应用的三代，后者包括碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN）的崛起。
全球碳排放压力下，第三代半导体凭借其高能效和低碳特性，成为了科技发展的新焦点。第三代半导体的独特之处在于，即使在高频状态下，它仍能保持卓越性能和稳定性。
技术挑战与机遇： 尽管SiC衬底技术已相对成熟，但GaN的制备仍有提升空间。5G和新能源汽车的推动为第三代半导体提供了前所未有的发展机遇，性价比的提升为其在全球竞争中赋予了强大动力。
使得第二代半导体材料的应用具有一定的局限性。21世纪初出现的第三代半导体包含氮化镓（GaN）、碳化硅（SiC）等化合物，又被称为宽禁带半导体，也被简称为“三代半”。
碳化硅晶片切割划片方法?
1、碳化硅（SiC）是一种硬度较高的材料，因此在切割过程中需要使用适当的切割工具和方法。以下是一些常用的碳化硅切割方法：金刚石线锯切割（Diamond Wire Sawing）：金刚石线锯是一种常见的切割工具，可以用于切割碳化硅晶片。
2、钻孔法（Drilling Method）： 钻孔法是一种传统的切割方法。首先，在需要切割的位置钻孔，然后使用机械应力或热应力等方法将陶瓷分离出来。这种方法适用于一些小尺寸的陶瓷件。
3、首先将碳化硅芯片放在平整的研磨盘上，使用钻石砂轮对芯片进行粗磨，将芯片表面磨平。接下来使用较细的磨粉进行中等磨削，直到达到所需精度。这通常需要多次磨削和检查，以确保芯片表面的光滑度和平整度。
4、一种降低大尺寸碳化硅单晶开裂的方法是：改进退火工艺，减小了晶体中的应力。根据查询中国科学院得知，通过多次迭代，逐步扩大SiC晶体的尺寸。通过改进退火工艺，减小了晶体中的应力从而抑制了晶体开裂。
5、表面清洁：首先，对碳化硅晶圆进行表面清洁，以去除表面的污染物和杂质。这可以使用溶剂清洗、超声波清洗或其他适当的方法完成。
6、碳化硅晶片的主要应用领域有LED固体照明和高频率器件。
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