反应烧结碳化硅陶瓷行业主要驱动因素(碳化硅反应烧结技术特点)

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反应烧结碳化硅陶瓷、无压烧结碳化硅陶瓷和重结晶碳化硅陶瓷的区别?

无压烧结:不同的产品选择的结合剂不同,在烧结过程中没有压力,包括气相压力。

重结晶烧结碳化硅(RSiC)则采用无烧结助剂,保留了SiC原有的特性,特别适合高温应用,且无收缩,孔隙率可以精细调控。热压烧结(HPSiC)虽然能制备出性能卓越的产品,但其工艺复杂且成本高昂,对于大尺寸和复杂部件的制备则显得力不从心。

烧制过程不同。反应烧结是在较低的温度下,使游离硅渗透到碳化硅中。而无压烧结是在2100度下,自然收缩而成的碳化硅制品。烧结的产品技术参数不同。反应的体积密度、硬度、抗压强度等与无压的碳化硅产品技术参数不同。产品性能不同。

成本决定了,无压烧结很难取代反应烧结,不过无压烧结出的产品,表面更光滑、密度更高、强度也要比反应烧结的高,根据无压的特性,像密封件类,对表面要求严格的,无压烧结的产品已经取代了反应烧结产品。

用哪种烧结体系烧结碳化硅所需的温度最低

烧结温度高时,晶界移动速度过快,一些气体来不及排斥,被封闭在里边,所以陶瓷密度下降。烧结机理:固态烧结(蒸发凝聚传质和扩散传质)、液相烧结(流动传质和溶解沉淀传质),一般出现液相会有助烧结,这就是加入矿化剂的原因。

尽管两种方法的基本工艺流程相似,但烧结方式有所差异:反应烧结通过渗硅过程进行,其烧结温度相对较低,而重结晶烧结则要求在不超过其使用温度的条件下进行。一个显著的特性是,尽管重结晶烧结的温度较高,但在不超出其适用范围的前提下,反应烧结的碳化硅材料在抗弯强度上通常表现得更好。

烧制过程不同。反应烧结是在较低的温度下,使游离硅渗透到碳化硅中。而无压烧结是在2100度下,自然收缩而成的碳化硅制品。烧结的产品技术参数不同。反应的体积密度、硬度、抗压强度等与无压的碳化硅产品技术参数不同。产品性能不同。

其实常压烧结碳化硅在各项性能上都要比反应烧结碳化硅要强:硬度、强度、模量、热导率、抗腐蚀、耐磨性、热导率等。但是常压烧结碳化硅制备难度较反应烧结碳化硅为高,所以成本也高。

碳化硅陶瓷,SSiC\SiSiC\RBSiC\RSiC...你分得清吗?

1、碳化硅陶瓷,以其卓越的耐磨性、出 的导热性能和高温稳定性,成为了诸多工业领域的宠儿,如轴承、密封件等领域。然而,其烧结过程并非易事,科学家们巧妙地开发了反应烧结法(RBSiC)和无压烧结(PSSiC)等技术来克服这一挑战。

碳化硅陶瓷生产工艺碳化硅陶瓷的性能特点

1、碳化硅陶瓷的性能特点: 耐磨性极佳:研究表明,碳化硅陶瓷的耐磨性远超锰钢和 高铬铸铁,使用寿命可超过10年,显著降低维护成本和频率。 高强度、高硬度、轻质:例如,刚玉陶瓷的洛氏硬度高达HRA90-98,远超耐磨钢和不锈钢。其密度仅为钢铁的一半,重量轻,便于安装和更换。

2、碳化硅陶瓷的性能特点耐磨性能优异,连续使用10年以上时间经研究所测定,碳化硅陶瓷的耐磨性相当于锰钢的266倍,高铬铸铁的175倍,耐磨性极好。耐磨陶瓷复合弯头在制粉系统的应用极大的减轻了设备的磨损,耐用时间至少10年以上,减少维修频次和费用。

3、极限转速更高,且不费力:陶瓷比钢轻,适合用于大型产品,能减少运转离心力,在相同精度下提高极限转速。在高精密场合,碳化硅陶瓷的硬度和杨氏模量均高于钢,相同载荷下,机械变形更小,因此适用于更精密的环境。

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