碳化硅是怎么生成的(碳化硅怎么制取)

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硅能和S反应吗C可以,那Si

1、尽管是同族,碳原子和硅原子的核半径和核外电子云分布都不一样,所以碳原子和其他原子结合的能力比硅要高,所能形成的构型更稳定也更丰富。如果是基于化学能量的生物,硅需要很高的温度才能有良好的化学活性,如果能在类似地球内部的地方产生生物,也许会利用硅作为主要元素。

2、对于反应2C + SiO2 =高温= Si + 2CO,这个并不矛盾,实际上Si的金属性是比C强,但这个反应也能发生,首先要清楚,两种物质之间,没有绝对的不发生反应,只有反应程度不同,反应中存在平衡。

3、都对,不过最长见得其实是后者。因为可以说前者是两个过程叠加来的,其实也是实际生产过程中会发生的,不过条件要比后者苛刻。后者主要用来制取粗圭。

4、C的还原性与Si怎么比,利用碳在高温条件下可以置换硅进行比较。这个反应可以说明碳的还原性大于硅。2C+SiO2==(高温)==2CO+Si 满意望采纳,谢谢。祝你学习进步,天天开心。

碳化硅性质

1、高机械强度。碳化硅的硬度非常高,莫氏硬度在24-28 GPa之间。抗压强度、抗拉强度和抗弯强度都很优异。 高抗腐蚀性和抗氧化性。碳化硅在多种腐蚀性环境下保持稳定,抗氧化性能好。 高束缚能。碳化硅的禁带宽度在2-3 eV之间,使其具有特殊的光电子学性质。 可控制的电学性质。

2、碳化硅的化学性质可以概括如下: 碳化硅和碱:通常情况下,碳化硅不与碱反应。它是一种非金属材料,相对稳定,不容易被碱侵蚀。因此,碱性溶液一般不会对碳化硅产生显著的化学反应。这是因为碳化硅具有坚硬的晶体结构,不容易被碱性物质侵蚀。

3、碳化硅的性质:化学性能稳定、导热系数高、热膨胀系数小、耐磨性能好、高热导性、高崩溃电场强度及高最大电流密度。碳化硅的硬度很大,莫氏硬度为5级,仅次于世界上最硬的金刚石(10级),具有优良的导热性能,是一种半导体,高温时能抗氧化。碳化硅至少有70种结晶型态。

二氧化硅高温下和碳反应生成产物有硅和碳化硅两种方向,谁能给我解析...

该反应是干态下的反应,而不是溶液状态,在高温、干态下,碳与二氧化硅反应却是一个符合“高沸点物质可以质取低沸点物质”规律的反应.在SiOC、Si、CO中,只有CO是气态,沸点最低,所以反应可以发生:如果碳不过量,就只生成单质硅。

二氧化硅和碳在高温下反应,可以生成硅和碳化硅两种产物。这是因为二氧化硅和碳在高温下可以发生两个不同的反应,分别是还原反应和碳化反应。

二氧化硅与碳反应的化学方程式:SiO2+2C=高温=Si+2CO(气体)如果C不足,估计会部分生成SiC,部分还是SiO而CO应该是C和O反应生成的。C+O=CO二氧化硅,纯的二氧化硅无 ,常温下为固体,化学式为SiO,不溶于水。

二氧化硅和碳高温反应,生成一氧化碳和单质硅,方程式为:SiO2+2C=(高温)2CO(气)+Si。首先,这是一个氧化还原反应,二氧化硅为氧化剂,碳是还原剂。其次,类似于金属的置换反应,体现了硅的金属弱于碳,反过来,非金属性强于碳。

冶炼碳化硅和合成碳化硅区别

1、冶炼碳化硅和合成碳化硅区别是原料不同。根据道客巴巴资料查询显示,因为合成碳化硅所用的原料主要是以SiO2为主要成分的脉石低档次的碳化硅可用低灰分的无烟煤为原料。冶炼碳化硅是由石英砂和焦粉在高温下还原反应生成我国冶炼碳化硅有两种工艺,一种是新料法,另一种是焙烧料法。

2、碳化硅(SiC)是用石英砂、石油焦(或煤焦)、木屑(生产绿 碳化硅时需要加食盐)等原料通过电阻炉高温冶炼而成。目前中国工业生产的碳化硅分为黑 碳化硅和绿 碳化硅两种,均为六方晶体,比重为20~25,显微硬度为2840~3320kg/mm2。纯碳化硅是无 透明的晶体。

3、在空气氛中被熔融的碱分化。它分为人工合成碳化硅和天然碳化硅。天然碳化硅称为碳硅石,首要赋存于金伯利岩及火山角闪岩中,但其量甚少,无挖掘价值。工业用碳化硅为人工碳化硅,SiC含量为95%~95%,常含少量的游离碳,以及Fe2OSi和SiO2等杂质。

二氧化硅与碳反应生成什么?

1、二氧化硅与碳反应的化学方程式:SiO2+2C=高温=Si+2CO(气体)如果C不足,估计会部分生成SiC,部分还是SiO而CO应该是C和O反应生成的。C+O=CO二氧化硅,纯的二氧化硅无 ,常温下为固体,化学式为SiO,不溶于水。

2、二氧化硅与碳反应方程式为:SiO2+2C=高温=Si+2CO(气体)。二氧化硅有晶态和无定形两种形态,其化学性质比较稳定,属于酸性氧化物,硅和碳的性质相似,但它们氧化物的性质却有很大差异,CO2是分子晶体,而SiO2是原子晶体。

3、该反应是干态下的反应,而不是溶液状态,所以不符合置换规律。硅的还原性比碳强是正确的,但是在高温、干态下,碳与二氧化硅反应却是一个符合“高沸点物质可以质取低沸点物质”规律的反应。

4、C+SiO2==2CO+Si。SiO2+3C==SiC+2CO。两个方程式的关系可以看成,第二个反应是第一个反应的继续,即单质硅继续和碳反应,生成碳化硅,也就是第二个反应比第一个反应碳的用量要多。

5、解SiO2+3C=SiC+2CO SiO2+2SiC=3Si+2CO SiO2+SiC+C=2Si+2CO 如果C不足,估计会部分生成SiC,部分还是SiO2 而CO2应该是C和O2反应生成的。

6、它的氧化性比二氧化硅(氧化剂)强,就不合理了,所以氧化产物只能是一氧化碳而不是二氧化碳;每反应1molSiO2,转移4mol电子。如果碳过量,温度不一样,还有可能生成碳化硅:SiO2+3C=高温=SiC+2CO↑;这是碳的歧化反应,碳既作氧化剂又作还原剂,碳化硅是还原产物,一氧化碳是氧化产物。

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